算力动员 HBM 需求井喷，HBM 连续(xu)迭代升级(ji)。与 DDR 对比，HBM 基于 TSV 工艺与处理器(qi)封装于统一中介层，在带(dai)宽、面积、功耗等多方(fang)面更(geng)具优势，缓解了数据中心能(neng)耗压力及(ji)带(dai)宽瓶颈。训练、推理环节存力需求连续(xu)增长、消耗端及(ji)边缘侧(ce)算力增长打开 HBM 市场空间。2022 年全球 HBM 市场规模约为36.3 亿美元，预计(ji)至 2026 年市场规模将达 127.4 亿美元，CAGR 达 37%。HBM 连续(xu)迭代升级(ji)，2023 年支流 HBM 从 HBM2E 升级(ji)为 HBM3 甚至 HBM3E，HBM3比重(zhong)预估约为 39%，2024 年提升至 60%。当前 HBM 市场仍由三人人主导，2022 年全年 SK 海力士占 50%，三星占 40%，美光占 10%。
TSV 为 HBM 核心工艺，电镀、测(ce)试、键合需求提升。TSV 为 HBM 核心工艺，成本占比接近 30%，是 HBM 3D 封装中成本占比最(zui)高(gao)的部分(fen)。TSV 通孔添(tian)补对性能(neng)至关重(zhong)要，铜为支流添(tian)补材料。TSV 成本结构中通孔添(tian)补占比 25%，驱动电镀市场规模增长。TECHCET 预计(ji) 2022 年先进封装和高(gao)端互联(lian)应用中，电镀材料全球市场规模近 10 亿美元，到 2026 年预计(ji)超过 12 亿美元。HBM必要进行 KGSD（Known Good Stacked Die）测(ce)试，拉动测(ce)试需求。HBM 高(gao)带(dai)宽特征拉动键合需求，从 μbump 到 TCB/混淆键合，推动固(gu)晶步调和固(gu)晶机单(dan)价提升。
SK 海力士技(ji)术(shu)领先，三星/美光加速追赶。1）SK 海力士：技(ji)术(shu)领先，核心在于 MR-MUF 技(ji)术(shu)，MR-MUF 能(neng)有效提高(gao)导热率，并改善工艺速度和良率。SK海力士于 2021 年 10 月率先公布(bu) HBM3，2023 年 4 月公司实现了全球首创(chuang) 12层硅通孔技(ji)术(shu)垂直堆叠芯片，容量达到 24GB，比上一代 HBM3 超过 50%，SK海力士计(ji)划在 2023 年岁尾前供应 HBM3E 样品，并于 2024 年量产，公司目标 2026 年临(lin)盆(pen) HBM4；2）三星：万亿韩元新建(jian)封装线(xian)，预计(ji) 25 年量产 HBM4。 为应对 HBM 市场的需求，三星电子(zi)已从三星显示(shi)（Samsung Display）购买天安(an)厂区外部分(fen)建(jian)筑(zhu)物和装备，用于扶植新HBM封装线(xian)，总投资额(e)达到7000-10000 亿韩元。三星预计(ji)将在 2023Q4 最(zui)先向北美客户(hu)供应 HBM3；3）美光：
2024 年量产 HBM3E，多代产品研发中。美光在此前的财报电话集会上表(biao)示(shi)将在 2024 年通过 HBM3E 实现追赶，预计(ji)其 HBM3E 将于 2024Q3 或者(zhe) Q4 最(zui)先为英伟达的下一代 GPU 供应。11 月 6 日(ri)美光在台(tai)湾(wan)台(tai)中四厂正式开工，宣布(bu)将集成先进的探测(ce)和封装测(ce)试功能(neng)，临(lin)盆(pen) HBM3E 等产品。
国内产业链无望在各品类半导体装备、材料受害。1）固(gu)晶机：新益昌(chang)；2）测(ce)试机、分(fen)选机等：长川科技(ji)；3）特种气体：华特气体；4）电子(zi)大宗气体：金宏气体、广钢(gang)气体；6）前驱体：雅克(ke)科技(ji)；7）电镀液：天承科技(ji)；8）环氧塑封料：华海诚科。
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